(HNMO) - Trái ngược với những đồn đoán trước đây về việc thế hệ tiếp theo của dòng điện thoại đầu bảng Samsung Galaxy S sẽ có bộ nhớ RAM 8GB, những rủi ro hiển hiện sau bê bối của Galaxy Note7 đã khiến hãng điện tử Hàn Quốc trở nên thận trọng hơn và chỉ trang bị RAM 6GB mà thôi.
Dù mới giới thiệu thế hệ chip DRAM di động LPDDR4 với dung lượng 8GB - vốn được sản xuất trên dây chuyền công nghệ 10nm mới, Samsung có lẽ không muốn mạo hiểm với lựa chọn cao cấp duy nhất còn lại của mình. Hệ quả là Galaxy S8 sẽ vẫn "chỉ có" bộ nhớ RAM 6GB mà thôi (song song với bộ nhớ trong 256GB).
Cũng theo các nguồn tin tới nay, thế hệ Galaxy S mới sẽ có thiết kế hoàn toàn khác biệt, máy ảnh cải thiện so với S7, đầu đọc dấu vân tay quang học tích hợp dưới màn hình, máy ảnh kép trên biến thể cỡ lớn, màn hình cảm ứng lực thay thế cho cả nút bấm cảm ứng và nút Home vật lý kiểu cũ. Máy cũng được trang bị cảm biến võng mạc tương tự như Galaxy Note7.
Samsung đang rất cố gắng đẩy sớm tiến độ ra mắt Galaxy S8 để bù đắp lại khoảng trống do Galaxy Note7 để lại. Theo một số nhận định, máy mới có thể sẽ có mặt ngay những tháng đầu năm 2017.
(*) Không sao chép dưới mọi hình thức khi chưa có sự đồng ý bằng văn bản của Báo Hànộimới.