Chip Qualcomm Snapdragon 830 sẽ có công nghệ sạc nhanh mới

Hoàng Linh| 13/11/2016 08:15

(HNMO) - Dù điện thoại thông minh đã có những bước tiến vượt bậc trong những năm qua nhưng pin vẫn là thành phần

Điều này đã dẫn tới nhiều hạn chế trong việc thiết kế máy (ảnh hưởng tới cả máy tính bảng, máy tính xách tay...) trong những năm qua - điển hình là việc mức tiêu thụ điện ngày càng tăng lên trong khi dung lượng pin hầu như không được cải thiện. Trong bối cảnh ấy, điểm mới đáng chú ý nhất có lẽ chỉ là công nghệ sạc nhanh.

Hiện tại, Qualcomm đang giữ vị thế dẫn đầu trong việc phát triển các công nghệ sạc pin nhanh - thông qua Quick Charge của họ.

Thế hệ 3.0 hiện tại có thể đạt tới 18W nhưng theo các nguồn thạo tin, Quick Charge mới trên chip Snapdragon 830 có thể đạt tới 28W với các cấu hình dòng gồm 5V 4,7A~5,6V hoặc 9V 4A.

Đáng chú ý, Qualcomm cũng mới phát triển xong công nghệ có tên gọi Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV). Nó cho phép nhận diện mức công suất nạp mà pin có thể tải ở từng thời điểm và tăng/giảm nguồn sạc tương ứng nhằm hạn chế hiện tượng quá tải nhiệt (điều mà có lẽ Galaxy Note8 sẽ cần tới).