Samsung hé lộ chip nhớ 256GB, sẽ trang bị cho Galaxy Note6

Xe++ - Ngày đăng : 05:16, 29/02/2016

(HNMO) - Samsung vừa chính thức khởi động sản xuất hàng loạt chip nhớ 256GB dựa trên chuẩn UFS 2.0 dành cho thiết bị di động. Đây là lần đầu tiên một sản phẩm chip nhớ có thể đạt được mật độ lưu trữ lớn đến vậy - cùng tốc độ truy xuất dữ liệu có thể vượt qua cả các loại ổ lưu trữ thể rắn SSD SATA cho máy tính cá nhân hiện nay.

Tốc độ truy xuất dữ liệu của chip nhớ mới vượt xa các giải pháp khác hiện nay.


Số liệu công bố cho thấy tốc độ đọc dữ liệu từ chip mới có thể lên tới 850 MB/giây trong khi tốc độ ghi ở mức 260 MB/giây. Đây là mức cao hơn ba lần so với các loại thẻ nhớ microSD thương mại dòng cao cấp nhất đang có mặt trên thị trường.

Hiệu năng ấn tượng của chip nhớ Samsung mới đến từ công nghệ V-NAND độc quyền của hãng với hứa hẹn thao tác đọc lên tới 45.000 lần mỗi giây, ghi 40.000 lần mỗi giây (nhanh hơn hai lần so với bộ nhớ flash UFS hiện tại). Băng thông mới thừa đủ cho các nhu cầu ghi phim 4K và là tiền đề cho khả năng hỗ trợ kết nối USB 3.0 trên các điện thoại Samsung trong tương lai. Thử nghiệm thực tế cho thấy việc sao chép phim 90 phút 1080p chỉ mất 12 giây mà thôi.

Chip nhớ mới được dự đoán sẽ có mặt đầu tiên trên Galaxy Note 6 sắp tới.


Theo lộ trình sản phẩm thường niên, Samsungcó thể sẽ tung ra Galaxy Note6 mới vào tháng 9/2016. Nếu không có gì thay đổi, đây sẽ là mẫu điện thoại đầu tiên sở hữu loại bộ nhớ tiên tiến này.

Hoàng Linh